1. RAM
Volatile RAM
전원이 유지되는 동안에만 동작에 필요한 정보를 저장하는 휘발성 메모리
SRAM(Static Memory), DRAM(Dynamic Memory)로 구분
SRAM
한번 기록하면 전원이 공급되는 한 특별한 수단이 없이도 내용을 그대로 가짐
플리플롭(F/F)로 동작하는 방식
F/F은 전류신호가 오기전에는 상태가 변화하지 않기 때문에 안정적인 메모리
DRAM보다 100이상 접근속도가 빠름
구조가 복잡하고 공간을 많이 차지하여 집적도가 어려움
고가이면서 대량 생산이 어려움
DRAM
Capacitor에 전하를 저장하는 방식으로 디지털 신호를 구분(주기적으로 refresh요구)
1TR + 1C로 단순한 구조를 가져서 집적도가 높고 대량생산이 가능
ADRAM(비동식)과 SDRAM(동기식)이 존재
SDRAM은 LPDDR(Low Power DDR)으로 진화되어 주력 기술
GDRAM(Graphics DRAM)은 SGRAM으로 진화되어 많이 적용되고 있음
HMC(Hybrid Memory Cube)은 복수의 DRAM을 수직으로 적층하는 차세대 기술 (발열이 심하여 상용화 되지 않은 상태)
High Brandwidth Memory(HBM)은 적층된 메모리와 프로세서사이를 연결하는 인터포저의 역할이 중요해지면서
HMC에서 메모리만 적층하는 방식으로 절출 된 것임
NVRAM
지속적으로 연구중인 단계 (비휘발성 RAM)
ROM의 비휘발성 특성과 RAM의 빠른 동작속도의 장점을 고루 갖추고 있는 차세대 메모리
MRAM,PRAM,RRAM, FeRAM이 대표적
MRAM은 자기저항메모리 (삼성에서 양산 돌입)
PRAM은 상변화 메모리로 유리물질인 칼코게나이드 소재등이 적용(내구성이 우수)
RRAM은 저항변화램 (속도는 다소느리지만 단순한 소자로 MRAM에 비해 고집적도가 용이)
FeRAM은 강유전체 소재를 사용한 메모리
2. ROM
Mask ROM은 프로그래밍 불가
PROM은 1번만 기록 가능
EPROM은 자외선을 이용하여 지우고 다시 쓰기 가능
EEPROM은 전기적으로 지우고 다시 쓰기 가능
Flash Memory 블록단위로 수정가능
Flash Memory는 SLC, MLC, TLC,QLC로 나뉨
SLC로 갈수록 쓰기속도가 쁘르며 내구성 우수
NAND FLASH(읽기속도는 느리지만 쓰기속도가 빠르고 3차 적층 구조인 VNAND기술이 적용되어 고집적도, 고용량 메모리 출시중)
고집적화로 저가이며 USB나 SSD같은 보조장치로 사용
NOR FLASH(쓰기속도는 느리지만 읽기속도는 매우빠름) 병렬구조를 가져서 고집적화는 어렵고 고가임 RAM처럼 실행가능 코드를 저장하는데 사용